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레이저 거리 측정 및 속도 거리 측정을 위한 광 검출기
InGaAs 소재의 스펙트럼 범위는 900~1700nm이며, 증폭 잡음은 게르마늄 소재보다 낮습니다. 일반적으로 이종 구조 다이오드의 증폭 영역으로 사용됩니다. 이 소재는 고속 광섬유 통신에 적합하며, 상용 제품은 10Gbit/s 이상의 속도를 달성했습니다.
Si&InGaAs, PIN&APD, 파장: 400-1100nm, 900-1700nm.(레이저 거리 측정, 속도 측정, 각도 측정, 광전 검출 및 광전 대책 시스템에 적합합니다.)
InGaAs 소재의 스펙트럼 범위는 900~1700nm이며, 증폭 잡음은 게르마늄 소재보다 낮습니다. 일반적으로 이종 구조 다이오드의 증폭 영역으로 사용됩니다. 이 소재는 고속 광섬유 통신에 적합하며, 상용 제품은 10Gbit/s 이상의 속도를 달성했습니다.