ZnGeP2 — 포화 적외선 비선형 광학 장치
제품 설명
이러한 독특한 특성으로 인해 비선형 광학 응용 분야에서 가장 유망한 재료 중 하나로 알려져 있습니다. ZnGeP2는 OPO(Optical Parametric Oscillation) 기술을 통해 3~5μm 연속 조정 가능한 레이저 출력을 생성할 수 있습니다. 3~5μm의 대기 투과 창에서 작동하는 레이저는 적외선 카운터 측정, 화학 모니터링, 의료 장비 및 원격 감지와 같은 많은 응용 분야에서 매우 중요합니다.
우리는 흡수 계수 α < 0.05 cm-1(펌프 파장 2.0-2.1 µm에서)로 매우 낮은 광학 품질의 ZnGeP2를 제공할 수 있으며, 이는 OPO 또는 OPA 공정을 통해 고효율로 중적외선 가변 레이저를 생성하는 데 사용할 수 있습니다.
우리의 역량
ZnGeP2 다결정질을 합성하기 위해 동적 온도장 기술이 개발 및 적용되었습니다. 이 기술을 통해 한 번의 작업으로 500g 이상의 고순도 ZnGeP2 다결정체가 거대한 입자로 합성되었습니다.
전위 밀도를 효율적으로 낮출 수 있는 방향성 넥킹 기술(Directional Necking Technology)과 결합된 수평 그라데이션 동결(Horizontal Gradient Freeze) 방법을 고품질 ZnGeP2 성장에 성공적으로 적용했습니다.
세계 최대 직경(Φ55mm)의 킬로그램급 고품질 ZnGeP2를 수직 그래디언트 프리즈(Vertical Gradient Freeze) 방식으로 성장에 성공했습니다.
당사의 트랩 미세 표면 처리 기술을 통해 결정 장치의 표면 거칠기와 평탄도가 각각 5Å 및 1/8λ 미만으로 얻어졌습니다.
정밀한 오리엔테이션과 정밀한 커팅 기술을 적용하여 크리스탈 장치의 최종 각도 편차가 0.1도 미만입니다.
높은 품질의 크리스털과 높은 수준의 크리스털 가공기술로 우수한 성능을 갖춘 소자가 탄생하였습니다. 원천).
우리 연구 그룹은 지속적인 탐구와 기술 혁신을 통해 고순도 ZnGeP2 다결정 합성 기술, 대형 고품질 ZnGeP2 성장 기술 및 결정 배향 및 고정밀 가공 기술을 성공적으로 습득했습니다. 높은 균일성, 낮은 흡수 계수, 우수한 안정성 및 높은 변환 효율을 갖춘 ZnGeP2 장치와 원래의 성장 결정을 대량으로 제공할 수 있습니다. 동시에 우리는 고객에게 크리스탈 성능 테스트 서비스를 제공할 수 있는 능력을 갖춘 전체 크리스탈 성능 테스트 플랫폼 세트를 구축했습니다.
응용
● CO2 레이저의 2차, 3차, 4차 고조파 발생
● 2.0 µm 파장의 펌핑을 통한 광학 파라메트릭 생성
● CO 레이저의 2차 고조파 생성
● 70.0 µm ~ 1000 µm의 밀리미터 미만 범위에서 간섭성 방사선 생성
● CO2 및 CO 레이저 방사선과 기타 레이저의 결합 주파수 생성은 결정 투명도 영역에서 작동합니다.
기본 속성
| 화학적인 | ZnGeP2 |
| 크리스탈 대칭 및 클래스 | 정사각형, -42m |
| 격자 매개변수 | a = 5.467Å c = 12.736Å |
| 밀도 | 4.162g/cm3 |
| 모스 경도 | 5.5 |
| 광학 클래스 | 포지티브 단축 |
| 유용한 전송 범위 | 2.0 음 - 10.0 음 |
| 열전도율 @ T= 293K | 35W/m∙K(⊥c) 36W/m∙K( igh c) |
| 열팽창 @ T = 293K ~ 573K | 17.5 x 106K-1(⊥c) 15.9 x 106 K-1( ought c) |
기술적인 매개변수
| 직경 공차 | +0/-0.1mm |
| 길이 공차 | ±0.1mm |
| 방향 공차 | <30아크민 |
| 표면 품질 | 20-10SD |
| 평탄 | <λ/4@632.8 nm |
| 병행 | <30초 |
| 수직 | 5분 미만 |
| 모따기 | <0.1mm x 45° |
| 투명도 범위 | 0.75 - 12.0?m |
| 비선형 계수 | d36 = 68.9pm/V(10.6μm에서) d36 = 75.0pm/V(9.6μm에서) |
| 손상 임계값 | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
